企业简介
上海集成电路研发中心有限公司 main business:芯片的制造、销售，集成电路设计及销售，相关领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让，投资，国内贸易（除专项审批），从事货物与技术的进出口业务。【&#yfpz】 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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上海集成电路研发中心有限公司的工商信息
- 310115000726583
- 91310115745635158X
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(国有控股)
- 2002年12月16日
- 赵宇航
- 31060.000000
- 2002年12月16日 至 2022年12月15日
- 自由贸易试验区市场监管局
- 2002年12月16日
- 中国（上海）自由贸易试验区龙东大道3000号
- 芯片的制造、销售，集成电路设计及销售，相关领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让，投资，国内贸易（除专项审批），从事货物与技术的进出口业务。 【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
上海集成电路研发中心有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 上海集成电路研发中心有限公司 | www.icrd.com.cn |
上海集成电路研发中心有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN102169292B | 光刻胶的涂布方法 | 2016.09.28 | 本发明提供一种光刻胶的涂布方法，包括：提供半导体晶片；在所述半导体晶片的正面喷洒TMAH溶液；在所述 |
| 2 | CN102522384B | 石墨烯纳米带电阻器及其制作方法 | 2016.12.14 | 本发明涉及一种石墨烯纳米带电阻器及其制作方法，包括以下步骤：在衬底上采用大马士革工艺形成下层铜互连， |
| 3 | CN106057625A | 提高离子注入纯度的电弧腔及离子注入方法 | 2016.10.26 | 本发明提供了一种提高离子注入纯度的电弧腔及离子注入方法，包括用于产生原初电子的灯丝、阴极、阳极和供气 |
| 4 | CN106092335A | 红外探测器中微桥结构的制备方法 | 2016.11.09 | 本发明提供了一种红外探测器中微桥结构的制备方法，通过将桥面电阻区域和支撑区域的敏感材料层和电极层图形 |
| 5 | CN102437080B | 手持式免充电吸笔 | 2016.08.24 | 本发明的手持式免充电吸笔包括活塞装置、吸嘴装置和手持装置；所述活塞装置包括腔体、设置在所述腔体内的活 |
| 6 | CN102226996B | CMOS影像传感器及其制造方法 | 2016.09.07 | 本发明提供了一种CMOS影像传感器及其制造方法。根据本发明的CMOS影像传感器制造方法包括步骤：在半 |
| 7 | CN104098067B | 一种体硅微机电系统MEMS结构继续正面工艺的方法 | 2016.08.24 | 本发明公开了一种体硅微机电系统MEMS结构继续正面工艺的方法，步骤依次为，提供硅片背面已形成深槽的体 |
| 8 | CN105655247A | 一种双金属栅极的制备方法 | 2016.06.08 | 本发明提供了一种双金属栅的制备方法，在第一栅极区和第二栅极区同时完成多晶硅的去除工艺、高介电常数介质 |
| 9 | CN105655223A | 一种等离子体刻蚀系统的磁场发生装置 | 2016.06.08 | 本发明公开了一种等离子体刻蚀系统的磁场发生装置，包括至少四个超导线圈，分设于等离子体刻蚀系统的反应腔 |
| 10 | CN102659068B | 一种MEMS谐振腔结构 | 2016.06.22 | 本发明提供了一种MEMS谐振腔结构，包括：半导体衬底；第一支撑柱，所述第一支撑柱设置于所述半导体衬底 |
| 11 | CN102983876B | 一种超宽带通信系统 | 2016.09.28 | 本发明公开了一种超宽带通信系统，包括发射机和接收机。其中，发射机编码模块在每单位时间周期T秒内，根据 |
| 12 | CN200989993Y | 一种两次曝光用长掩模版 | 2007.12.12 | 本实用新型涉及一种两次曝光用长掩模版，适当加大长掩模版的宽度使其超过正常宽度，从而使两次曝光的图形区 |
| 13 | CN101026023A | 一种在原子力显微镜针尖上组装氧化锌纳米线的工艺 | 2007.08.29 | 一种在原子力显微镜针尖上组装氧化锌纳米线的工艺，包括以下步骤：在所述的显微镜针尖上沉积催化剂，将沉积 |
| 14 | CN102897538B | 自动化物料传输系统及其方法 | 2016.12.21 | 本发明公开了一种自动化物料传输系统及其方法，属于物料传输领域。该系统包括：存储设备、导轨、物料输送单 |
| 15 | CN102881760B | 红外感测器及其制造方法 | 2016.12.28 | 本发明公开了一种红外感测器及其制造方法，属于半导体器件领域。红外感测器包括：微桥结构单元、设置在所述 |
| 16 | CN102291343B | 模拟基带电路 | 2016.12.28 | 本发明揭示了一种模拟基带电路，包括：双转单的低通滤波器，接收一模拟基带信号，并滤除该模拟基带信号中频 |
| 17 | CN106252240A | 柔性衬底的形成方法 | 2016.12.21 | 本发明提供了一种柔性衬底的形成方法，包括：在形成有衬底材料层的基板上形成一具有光滑表面的牺牲材料层； |
| 18 | CN102874740B | 红外探测装置及其制造方法 | 2016.12.21 | 本发明公开了一种红外探测装置及其制造方法，属于半导体器件领域。该红外探测装置包括：微桥结构单元、设置 |
| 19 | CN106248222A | 红外探测器像元结构及其制备方法 | 2016.12.21 | 本发明的红外探测器像元结构及其制备方法，包括具有红外吸收层的键合衬底和以及与键合衬底相键合的底部硅层 |
| 20 | CN102646566B | 用于在线SEM观察的SEM样品夹具及SEM样品观察方法 | 2016.12.14 | 本发明提供了一种用于在线SEM观察的SEM样品夹具及SEM样品观察方法，通过提供一种圆盘形金属支架， |
| 21 | CN106611743A | 一种空气隙/铜互连结构的制造方法 | 2017.05.03 | 一种空气隙/铜互连结构的制造方法，其包括提供一半导体衬底，先在半导体衬底上完成CMOS器件前道工艺， |
| 22 | CN106601600A | 一种改善光刻工艺的方法 | 2017.04.26 | 本发明提供了一种改善光刻工艺的方法，包括：提供一表面具有光刻胶的衬底，获取衬底不同位置的不同光刻焦平 |
| 23 | CN106601670A | 含无机物的有机抗反射层做双重图形硬掩模的工艺方法 | 2017.04.26 | 一种含无机物的有机抗反射层做双重图形硬掩模的工艺方法，包括提供一个半导体衬底，在半导体衬底上淀积双重 |
| 24 | CN106601667A | 一种具有空气隙的金属互连层结构及其制备方法 | 2017.04.26 | 本发明提供了一种具有空气隙的金属互连层结构及其制备方法，包括：位于衬底表面的由金属互连线线和填充于其 |
| 25 | CN106597583A | 一种形成光学分光透镜的结构和方法 | 2017.04.26 | 本发明提供了一种光学分光透镜的结构，通过改变透镜材料层的材质及透镜的形状，可以得到不同光波范围的分光 |
| 26 | CN106571334A | 一种硅片间的混合键合方法 | 2017.04.19 | 本发明公开了一种硅片间的混合键合方法，包括：提供两枚硅片衬底，在所述硅片衬底上采用常规铜后道工艺获得 |
| 27 | CN103022068B | 一种CMOS图像传感器及其制造方法 | 2017.04.19 | 本发明公开了一种CMOS图像传感器制造方法，包括在衬底上形成MOS晶体管区及光电二极管区；在MOS晶 |
| 28 | CN103065948B | 小线宽沟槽图形的制备方法 | 2017.04.19 | 本发明公开了一种小线宽沟槽图形的制备方法，包括提供半导体衬底，在该半导体衬底上依次形成目标材料层、第 |
| 29 | CN102969234B | 一种金属栅电极的制造方法 | 2017.04.19 | 本发明公开了一种金属栅电极的制造方法，包括在衬底上形成多晶硅栅极，多晶硅栅极两侧的侧墙，以及源漏区； |
| 30 | CN102904586B | 一种超宽带发射机 | 2017.04.19 | 本发明公开了一种超宽带发射机，包括数字激励模块，电荷泵整形模块以及功率放大器模块。数字激励模块接收数 |
| 31 | CN102683274B | 应用于铜互连的空气间隔工艺 | 2017.04.19 | 本发明公开了一种应用于铜互连的Air‑Gap工艺，包括：通过对牺牲层图形化，形成顶部大底部小的图形， |
| 32 | CN106564853A | 微电子细胞分析电极及其制备方法 | 2017.04.19 | 本发明公开了一种微电子细胞分析电极的制备方法，包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上生长多层介质 |
| 33 | CN102881643B | 一种含有空气隙的互连结构的制造方法 | 2017.04.19 | 本发明公开了一种含有空气隙的互连结构的制造方法，包括在衬底上形成第一牺牲层；在第一牺牲层中形成金属互 |
| 34 | CN106548977A | 一种空气隙结构的制造方法 | 2017.03.29 | 本发明公开了一种空气隙结构的制造方法，包括在衬底上形成常规的金属互连层次，对沟槽结构进行反刻蚀，去除 |
| 35 | CN106531883A | STT－MRAM存储单元 | 2017.03.22 | 本发明提供一种STT‑MRAM存储单元，包括选择晶体管、铁磁金属自由层和铁磁金属固定层，所述选择晶体 |
| 36 | CN106527040A | 一种辅助图形的添加方法 | 2017.03.22 | 本发明提供了一种辅助图形的添加方法，包括：提供一OPC目标图形，根据辅助图形基准规则，选取其中只能加 |
| 37 | CN102956622B | 一种电感结构 | 2017.03.15 | 本发明公开了一种电感结构，包括片上电感以及位于所述片上电感下方的屏蔽层，所述屏蔽层包括至少一个屏蔽单 |
| 38 | CN102437200B | 一种FRD器件结构及其制造方法 | 2017.03.15 | 本发明提供一种FRD器件结构和及其制作方法，在FRD器件结构的沟槽侧壁上形成绝缘层，使所述绝缘层与P |
| 39 | CN102903655B | 一种真空控制系统 | 2017.03.15 | 本发明公开了一种真空控制系统，应用于半导体器件制造。其中，储能腔室与第一隔离阀并联连接于工作腔室与真 |
| 40 | CN102592986B | 通孔形成方法 | 2017.03.15 | 本发明提供一种通孔形成方法，在通孔刻蚀工艺中对刻蚀设备的上和/或下电极温度进行动态调整，可以调节刻蚀 |
| 41 | CN102254812B | 干法刻蚀方法 | 2017.03.15 | 本发明提供一种干法刻蚀方法，在完成第一主刻蚀步骤之后，继续进行第一附加刻蚀步骤，所述第一附加刻蚀步骤 |
| 42 | CN103050383B | 一种消除旁瓣图形的方法 | 2017.03.15 | 本发明提供一种消除旁瓣图形的方法，包括：提供一个衬底，在衬底上依次形成目标材料层、硬掩膜层、第一底部 |
| 43 | CN102956611B | 一种空气隙/石墨烯互连结构及其制备方法 | 2017.03.15 | 本发明提出一种空气隙/石墨烯互连结构及其制备方法，其包括先在衬底中形成下层互连线，依次淀积阻挡层和介 |
| 44 | CN103063317B | 片上温度传感器 | 2017.03.01 | 本发明涉及半导体技术领域，提供一片上温度传感器，包括：基本电路单元，斩波单元，电阻微调单元，电熔丝阵 |
| 45 | CN103065993B | 一种晶圆缺陷的检测系统和方法 | 2017.03.01 | 本发明公开了一种晶圆缺陷检测系统，包括傅立叶滤波器，其包括位于光强信号采集范围内的多个阻挡单元，所述 |
| 46 | CN102956620B | MOS晶体管结电容测试结构及表征方法 | 2017.03.01 | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种MOS晶体管结电容测试结构和表征方法，在传统MOS晶体管结电容提 |
| 47 | CN102874534B | 自动化物料输送系统及其方法 | 2017.03.01 | 本发明公开了一种自动化物料输送系统及其方法，属于物料输送领域。该系统包括：存储设备，包括至少两个存储 |
| 48 | CN104460243B | 双重图形光刻对准方法 | 2017.03.01 | 本发明公开了一种双重图形光刻对准方法，通过在第二硬掩模层形成多个浅槽，并在第二硬掩模层和第一硬掩模层 |
| 49 | CN102969262B | 硅片倒片装置 | 2017.03.01 | 本发明公开了一种硅片倒片装置，属于集成电路制造技术领域，其该装置，包括：基座；硅片盒固定单元，设置在 |
| 50 | CN106430076A | 高填充红外探测器像元结构及其制备方法 | 2017.02.22 | 本发明提供了一种高填充红外探测器像元结构及其制备方法，包括在硅衬底上形成导电梁结构和导电梁结构上形成 |
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